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中心（c）Na1/8CoPSe和Na1/8CoSe2结构的应变能-体积变形曲线。图3CoPSe/NC和CoSe2/NC电极的SIB性能（a）在0.05Ag-1下，行业型中CoPSe/NC电极的恒电流充放电曲线。
（d）在0.05-5Ag-1时，源转要作用CoPSe/NC和CoSe2/NC的倍率性能。其中，挥重过渡金属硫化物/硒化物（TMS/TMSe）因其理论比容量高、电子性能多样性和成本低等优点而成为SIB和PIB的有希望的电极材料。尽管已取得了一定的研究进展，数据但是探索具优异的循环和倍率性能的SIB和PIB的新型电极材料仍然具有挑战性。
通过多种阳离子掺杂、中心纳米结构优化、中心碳修饰和工作电压调节，构建具有原子级界面工程和电场效应的单相三元材料被认为是提高电化学性能的有效策略。（b）在0.1Ag-1时，行业型中CoPSe/NC和CoSe2/NC的循环性能和库仑效率。
【成果简介】近日，源转要作用中国同济大学杨金虎教授（通讯作者）等人研究表明，源转要作用嵌入金属-有机骨架（MOF）的N掺杂碳基体（CoPSe/NC）层中的纳米颗粒的单相三价硒化钴（CoPSe）代表了超稳定、高倍率的SIB/PIB负极材料。
CoPSe/NC复合材料具有机械应力更低、挥重离子扩散动力学更快、放电电压更低、更高的电导率和无穿梭性能。（b）在不同循环次数下，数据SiOx/C电极的电压-比容量曲线。
结果表明，中心去除原始钝化层后，Si颗粒可以实现可控氧化，生成均匀的SiOx。行业型中研究成果以题为ManipulatingOxidationofSiliconwithFreshSurfaceEnablingStableBatteryAnode发布在国际著名期刊NanoLetters上。
图二、源转要作用SiOx/C复合材料的表征（a）初始Si材料和SiOx/C复合材料的XRD图谱。挥重（b）具有新鲜表面硅颗粒的可控氧化和同步碳包覆过程示意图。
